ＰＲＡＭ製造時間短縮（日経新聞2007/07/05）
材料
アルバック、成膜スピード速く
アルバックは、次世代半導体メモリーＰＲＡＭ（相変化メモリー）の製造時間を短縮する成膜技術を開発した。記憶素子を成膜する際に、「ＣＶＤ（化学気相成長法）」に代えて、成膜スピードが速い「スパッタリング」を採用した。ＰＲＡＭの製造コストが下がる。記憶容量が数ギガ（ギガは十億）ビットクラスのＰＲＡＭ製造への適用を想定している。
ＰＲＡＭは電源を切ってもデータを保持できるのが特徴。大容量タイプのＰＲＡＭ素子は絶縁層に細長く掘った穴を、ＧＳＴ（ゲルマニウム・アンチモン・テルル）膜で埋めて作る。溶融したＧＳＴが冷却方法で抵抗値が変わるのを利用、データを記録する。製品化には埋め込み型素子の生産性向上が課題だった。
スパッタリングは成膜スピードは速いが、凹凸面の膜厚制御が難しい。アルバックは、ＧＳＴ粒子の移動方向を、基板に対してほぼ垂直にする制御技術を確立し、細い穴にＧＳＴ膜を高い精度で積層することに成功したという。
ＰＲＡＭは、米インテルや韓国サムスン電子などがＮＯＲ型フラッシュメモリーの代替として開発を進めている。サムスンは来年初頭に容量二百五十六メガ（メガは百万）―五百十二メガビット程度で量産出荷を始めるもよう。
2007年07月05日